Bornitrid CAS# 10043-11-5
Graphitartige Schichtstruktur mit hoher Stabilität:Bornitrid besitzt eine flache hexagonale Kristallstruktur ähnlich wie Graphit, die eine hervorragende strukturelle Stabilität und starke in-plane-Bindungen bietet, während die schwachen Zwischenschichtkräfte eine einfache Schmierung und Verarbeitung ermöglichen.
Isoelektronisch mit Kohlenstoff-Allotropen:Seine elektronische Struktur ist mit Kohlenstoffmaterialien vergleichbar, sodass es ähnliche Allotrope bilden kann, während es gleichzeitig unterschiedliche physikalische und chemische Eigenschaften für fortschrittliche Materialanwendungen bietet.
Niedrige Zwischenschichtbindung für überlegene Gleitfähigkeit:Die Schichten werden nur durch Van-der-Waals-Kräfte zusammengehalten, ohne starke Bor-Stickstoff-Bindungen zwischen den Schichten, was Bornitrid eine hervorragende Schmierleistung und leichtes Scherverhalten verleiht.
Vielseitige Kristallformen für vielfältige Anwendungen:Neben der hexagonalen Schichtform ist Bornitrid auch in einer kugelförmigen Struktur erhältlich, was seine Verwendbarkeit in verschiedenen industriellen und technischen Anwendungen erweitert.
Bornitrid CAS#10043-11-5
Bornitrid ist ein Material, bei dem Stickstoff, der im Vergleich zu Kohlenstoff ein zusätzliches Elektron besitzt, die Bildung von Strukturen ermöglicht, die isoelektronisch zu Kohlenstoff-Allotropen sind.
Es ist eine anorganische Verbindung mit einer flachen, hexagonalen Kristallstruktur ähnlich wie Graphit, außer dass die Kohlenstoffatome durch abwechselnde Bor- und Stickstoffatome ersetzt sind. Diese Bor- und Stickstoffatome verbinden sich zu ineinandergreifenden hexagonalen Ringen aus drei Boratomen und drei Stickstoffatomen, während die Schichten durch Van-der-Waals-Kräfte zusammengehalten werden. Zwischen den Schichten besteht keine direkte Bor-Stickstoff-Bindung. Die B-N-Bindungslänge beträgt 1,466 Å, und der Schichtabstand beträgt 3,331 Å. Darüber hinaus ist auch eine kugelförmige Form mit hexagonaler Kristallstruktur erhältlich.
Bornitrid chemische Eigenschaften
| Schmelzpunkt | 2700℃ |
| Siedepunkt | sublimiert langsam unter 3000℃ [MER06] |
| Volumendichte | 120kg/m3 |
| Dichte | 0,9–1,1 g/ml bei 25 °C |
| Lagertemp. | Keine Einschränkungen. |
| Löslichkeit | unlöslich in H₂O, Säurelösungen |
| bilden | Pulver |
| Farbe | Weiß |
| Spezifisches Gewicht | 3.48 |
| PH | 5-8 (100g/l, H2O, 20℃)(Aufschlämmung) |
| Widerstandsfähigkeit | 10*19 (ρ/μΩ.cm) |
| Wasserlöslichkeit | Löslich in Wasser (schwer löslich) bei 20°C und in Wasser (löslich) bei 95°C. |
| Empfindlich | Hygroskopisch |
| Kristallstruktur | Hexagonal |
| Merck | 141.346 |
| Stabilität | Stabil. Unverträglich mit Oxidationsmitteln, Wasser. |
| Funktionen von Kosmetikinhaltsstoffen | GLEITMITTELMODIFIKATOR |
| BULKING | |
| CAS-Datenbankreferenz | 10043-11-5 (CAS-Datenbank-Referenz) |
| NIST-Chemiereferenz | Bornitrid (10043-11-5) |
| EPA-Substanzregistersystem | Bornitrid (BN) (10043-11-5) |
Sicherheitsinformationen
| Gefahrencodes | Xi |
| Risikohinweise | 36/37 |
| Sicherheitshinweise | 26–36 |
| RIDADR | UN1950 |
| WGK Deutschland | 3 |
| RTECS | ED7800000 |
| TSCA | Ja |
| HS-Code | 2850 00 20 |
| Gefahrenklasse | 2.1 |
| Toxizität | LD50 oral beim Kaninchen: > 2000 mg/kg LD50 dermal Ratte > 2000 mg/kg |
Produktanwendung von Bornitrid CAS#10043-11-5
Bornitrid ist ein Material, bei dem Stickstoff, der ein Elektron mehr als Kohlenstoff besitzt, die Bildung von Strukturen ermöglicht, die isoelektronisch zu Kohlenstoffallotropen sind. Es wird auch bei der Herstellung von Legierungen sowie in Halbleitern, Kernreaktoren und Schmiermitteln verwendet.
Hexagonales Bornitrid dient als elektrischer Isolator und wird für Thermoelement-Schutzhüllen, Tiegel und Auskleidungen von Reaktionsgefäßen verwendet. Es wird als Beschichtung für feuerfeste Formen beim Glasformen und beim superplastischen Formen von Titan eingesetzt. Darüber hinaus kann es in Keramiken, Legierungen, Harze, Kunststoffe und Gummi eingemischt werden, um selbstschmierende Eigenschaften zu verleihen. Hexagonales Bornitrid wird weiterhin bei der Formulierung von Hochtemperaturbeschichtungen und -farben verwendet und dient auch als Substrat für Halbleiter, Linsenbeschichtungen und transparente Fenster.
